430x1xx系列
基于闪存或 ROM 的超低功耗 MCU，提供 8MIPS，工作电压为 1.8V - 3.6V，具有高达 60KB 的闪存和各种高性能模拟及智能数字外设。
超低功耗低至：
0.1μA RAM （保持模式） 0.7μA （实时时钟模式） 200μA/MIPS （工作模式） 在 6μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：1KB – 60KB ROM 选项：1KB – 16KB RAM 选项：512B – 10KB GPIO 选项：14、22、48 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR 其它集成外设：模拟比较器、DMA、硬件乘法器、SVS、12 位 DAC
430F2xx系列
基于闪存的超低功耗 MCU，在 1.8V - 3.6V 的工作电压范围内性能高达 16MIPS。包含极低功耗振荡器 (VLO)、内部上拉/下拉电阻和低引脚数选择。
超低功耗低至：
0.1μA RAM（ 保持模式） 0.3μA （待机模式） (VLO) 0.7μA （实时时钟模式） 220μA/MIPS （工作模式） 在 1μs 之内超快速地从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：1KB – 120KB RAM 选项：128B – 8KB GPIO 选项：10、16、24、32、48、64 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR、16 位 Σ-Δ ADC 其它集成外设：模拟比较器、硬件乘法器、DMA、SVS、12 位 DAC、运算放大器
430C3xx系列
旧款的 ROM 或 OTP 器件系列，工作电压为 2.5V - 5.5V，高达 32KB ROM、4MIPS 和 FLL。
超低功耗低至：
0.1μA RAM （保持模式） 0.9μA（ 实时时钟模式） 160μA/MIPS （工作模式） 在 6μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
ROM 选项：2KB – 32KB RAM 选项：512B – 1KB GPIO 选项：14、40 引脚 ADC 选项：14 位斜率 SAR 其它集成外设：LCD 控制器、硬件乘法器
430x4xx系列
基于 LCD 闪存或 ROM 的器件系列，提供 8-16MIPS，包含集成 LCD 控制器，工作电压为 1.8V-3.6V，具有 FLL 和 SVS。低功耗测量和医疗应用的理想选择。
超低功耗低，与430x1xx系列完全一致
器件参数：
闪存/ROM 选项：4kB – 120KB RAM 选项：256B – 8KB GPIO 选项：14、32、48、56、68、72、80 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR、16 位 Σ-Δ ADC 其它集成外设：LCD 控制器、模拟比较器、12 位 DAC、DMA、硬件乘法器、运算放大器、USCI 模块
430F5xx系列
新款基于闪存的产品系列，具有最低工作功耗，在 1.8V-3.6V 的工作电压范围内性能高达 25MIPS。包含一个用于优化功耗的创新电源管理模块。
超低功耗低至：
0.1μA RAM （保持模式） 2.5μA （实时时钟模式 ）165μA/MIPS （工作模式） 在 5μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：高达 256KB RAM 选项：高达 16KB ADC 选项：10 和 12 位 SAR 其它集成外设：USB、模拟比较器、DMA、硬件乘法器、RTC、USCI、12 位 DAC
430G2553
低电源电压范围：1.8v至3.6v。
超低功耗 运行模式： 230μA （在1MHz 频率和2.2V 电压条件下）
待机模式： 0.5μA
关闭模式（RAM 保持）： 0.1μA
5 种节能模式
· 用于模拟信号比较功能或者斜率模数(A/D) 转换的片载比较器
· 可在不到1μs 的时间里超快速地从待机模式唤醒
· 16 位精简指令集(RISC) 架构，62.5ns 指令周期时间
· 带内部基准、采样与保持以及自动扫描功能的10位200-ksps 模数(A/D) 转换器
· 基本时钟模块配置
– 具有四种校准频率并高达16MHz 的内部频率· 串行板上编程，
– 内部超低功耗低频(LF) 振荡器无需外部编程电压，
– 32kHz 晶振
– 外部数字时钟源· 具有两线制(Spy-Bi-Wire) 接口的片上仿真逻辑电路
· 两个16 位Timer_A，分别具有三个捕获/比较寄存路器
· 多达24 个支持触摸感测的I/O 引脚 2100433B
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