掩模之间的主要表现在线宽的偏差(offset)。由于制备工艺的差别,一个掩模上所有的关键图形处的线宽通常比另一个掩模的对应线宽相差一个固定值,这个偏差又被称为“global CD offset”。这种固定的掩模线宽偏差会导致曝光图像线宽变化的不均匀性,MEEF值是和掩模图形尺寸及其周围图形相关联的,掩模上的这种线宽变化必然会导致晶圆上“through-pitch”行为的不同。而且,线宽对曝光剂量的敏感度(exposure latitude)也会发生变化。因此,必须调整光照条件来补偿这种变化 。
在量产时,同一个光刻层可能存在两块或者两块以上的掩模,这些掩模用于多个光刻机,增大光刻的产能。理论上,这些掩模应该是相同的(nominally identical reticles);实际上,由于掩模制备工艺的不稳定性,每一个掩模参数与目标值的偏差不完全一样(particular difference in their mean-to-target)。甚至,这些掩模可能来自于不同得掩模工厂,掩模工厂之间的设备就存在偏差。掩模匹配是通过精细调整光刻机的曝光参数,使得不同掩模在同一台光刻机上曝光得到的结果一致。2100433B