三维微电极采用MEMS微加工工艺中的光刻技术和ICP刻蚀技术制备而成. 三维微柱阵列电极大小为2mm×2 mm，其中单个微柱直径为50 μm，微柱心心距为100 μm，微柱高度为100 μm. 该微结构的工艺流程如下： ①清洗硅基底（晶面（100），直径101.6mm，厚度500 μm），甩光刻胶；②曝光及显影，形成胶柱阵列；③ICP刻蚀出硅微柱阵列；④剥离，用去胶剂去除微柱阵列表面的光刻胶，清洗；⑤溅射，在微柱阵列表面溅射一层金作为微电极的集流体；⑥阴极电沉积，在微柱阵列表面沉积功能薄膜，制备三维微电极.所制备硅基三维微柱阵列SEM照片基于ICP等方法制备的三维微电极微柱阵列结构完整、侧壁陡直，电极微柱间不易出现黏连、接触等失效现象，这对于梳齿结构微器件的加工有重要意义 .

尤其需要指出的是，硅基微柱阵列底部由于光刻胶去除以及硅深刻蚀中的微掩模效应而产生了 “微草结构”，这些“微草”使三维微电极表面积提高，且其纳米尖端成为后续氧化钌生长的“种子”，有利于电极储能特性的进一步改善 。