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利用 ICP 技术刻蚀硅形成深槽制作三维结构，则其表面积相对于二维平面结构将会有较大的增加。B 表示同底面积上三维立体结构所增大表面积的倍数，S2D、S3D 分别代表二维(平面)结构和三维结构表面积，L 为梳齿总长度，W为总宽度，H 为梳齿高度，W1 为单个梳齿宽度，W2为两个梳齿之间的距离，则单个梳齿长度为 W－2W1–W2.
