微电极结构采用 ICP 技术制备。将硅片清洗干净并放入烘箱烘 10 min，溅射 200 nm，铝膜作为刻蚀的掩膜，用 AZ1500 光刻胶转印图案，曝光、显影，腐蚀铝膜，露出刻蚀窗口进行 ICP 刻蚀。 刻蚀工艺参数如下： 腔室温度 40 ℃，硅片温度 25 ℃，射频功率 600 W，电压 300 V，总刻蚀时间 80 min。刻蚀过程中 SF6流量为 150 mL/min，O2流量为 12 mL/min，直流偏置电压为 120 V，功率为20 W，腔内气压 2.67 Pa。淀积过程中的 C4F8 流量为85 mL/min，腔内气压 5.33 Pa 。
