沟槽(Shallow Trench Isolation, STI)隔离技术起源于80年代，由于它的高成本和工艺的不成熟性，直到最近一两年才被人们所接受。该工艺是一种完全平坦的、完全无“鸟嘴”现象的新型隔离技术。其工艺流程如图3所示,隔离技术完全回避了高温工艺；严格保证器件有源区的面积；硅基板表面与隔离介质表面完全在同一平面上；改善了最小隔离间隔和结电容。同时，低温工艺也可以潜在地增加产量，降低成本。这些优点使得STI隔离成为深亚微米时代器件不可或缺的隔离技术。STI隔离主要适应极小尺 寸器件对极小特征尺寸、器件可靠性的要求。在 极小尺寸下，要求场区和有源区的面积非常小； 同时，对器件的漏电流也极为敏感。STI隔离工艺 主要有以下各关键工艺：氧化和氮化硅生长、沟壑光刻刻蚀、HDP High Density Plasma，高密度等离子体）二氧化硅生长、二氧化硅CMP Chemical Mechanical Planarization)、氮化硅去除 等工艺步骤 。