• 实施例1

《一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺》提供一种技术方案：

一种防止EL污染的太阳能电池板刻蚀工艺，包括以下步骤：

步骤1，镀膜准备：对于制造太阳能电池板的硅片来说，根据分凝模型知，铝膜越厚，吸杂效果越好，所以在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜，为了减小下面步骤中铝膜的反应时间，将铝膜厚度设置为15厘米，而且可以很好的吸杂。

步骤2，初级除杂：将步骤1中得到的镀好膜的硅片放入去离子水池，向水池内持续通入氧气，同时对水池进行变温加热，加热时间为3分钟，3分钟时间内，温度从700℃慢慢递增至900℃，再从900℃降低至700℃。

步骤3，次级除杂：当步骤2中加热时间结束，将离子水池内的硅片取出，使用裁切机将下表面的铝膜恰好去除，保证不要切到硅片，然后浸入到由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成的初级刻蚀液中，使得硅片没有铝膜覆盖的侧壁和下表面初步进行刻蚀，上表面的铝膜与初级刻蚀液中的酸充分反应，铝膜一边与酸反应、溶解，一边进一步的吸附硅片中的杂质，充分反应30秒后，停止反应，取出硅片；对应不同厚度的铝膜，因为初级刻蚀液的浓度相同，所以反应时间也相对应，15厘米的铝膜，反应时间控制为30秒，控制铝膜不能被反应溶解完，防止初级刻蚀液对上表面产生刻蚀。

步骤4，去除剩余铝膜：步骤3中充分反应完成后，取出硅片，使用裁切机去除上表面的剩余铝膜，同时也不能给裁切到硅片，去除剩余铝膜，将杂质随铝膜裁切掉。

步骤5，刻蚀准备：铝膜吸附硅片中的杂质时，很容易会有杂质残留在硅片上表面，所以需要对去除剩余铝膜后的上表面，使用去离子水进行冲洗，清洗掉残留杂质，并且在上表面形成一层水膜，方便接下来的正式刻蚀。

步骤6，进行刻蚀：对于形成有水膜的硅片，直接将此硅片放入刻蚀机内进行刻蚀，在去除了大量杂质的情况下实现对该硅片的刻蚀，从而防止了EL污染。

• 实施例2

该发明包括以下步骤：

步骤1，镀膜准备：对于制造太阳能电池板的硅片来说，根据分凝模型知，铝膜越厚，吸杂效果越好，所以在待刻蚀硅片的上、下表面均镀上一层铝膜，为了减小下面步骤中铝膜的反应时间，将铝膜厚度设置为20厘米，而且可以很好的吸杂。

步骤2，初级除杂：将步骤1中得到的镀好膜的硅片放入去离子水池，向水池内持续通入氧气，同时对水池进行变温加热，加热时间为5分钟，5分钟时间内，温度从700℃慢慢递增至900℃，再从900℃降低至700℃。

步骤3，次级除杂：当步骤2中加热时间结束，将离子水池内的硅片取出，使用裁切机将下表面的铝膜恰好去除，保证不要切到硅片，然后浸入到由硝酸、氢氟酸、草酸、亚磺酸、乙醇以及去离子水按照体积比3:1:0.5:0.3:0.08:6配制而成的初级刻蚀液中，使得硅片没有铝膜覆盖的侧壁和下表面初步进行刻蚀，上表面的铝膜与初级刻蚀液中的酸充分反应，铝膜一边与酸反应、溶解，一边进一步的吸附硅片中的杂质，充分反应45秒后，停止反应，取出硅片；对应不同厚度的铝膜，因为初级刻蚀液的浓度相同，所以反应时间也相对应，20厘米的铝膜，反应时间控制为45秒，控制铝膜不能被反应溶解完，防止初级刻蚀液对上表面产生刻蚀。

步骤4，去除剩余铝膜：步骤3中充分反应完成后，取出硅片，使用裁切机去除上表面的剩余铝膜，同时也不能给裁切到硅片，去除剩余铝膜，将杂质随铝膜裁切掉。

步骤5，刻蚀准备：铝膜吸附硅片中的杂质时，很容易会有杂质残留在硅片上表面，所以需要对去除剩余铝膜后的上表面，使用去离子水进行冲洗，清洗掉残留杂质，并且在上表面形成一层水膜，方便接下来的正式刻蚀。

步骤6，进行刻蚀：对于形成有水膜的硅片，直接将此硅片放入刻蚀机内进行刻蚀，在去除了大量杂质的情况下实现对该硅片的刻蚀，从而防止了EL污染。刻蚀工艺对比：在保证电池片效率和刻蚀效果的前提下，使用直接运用刻蚀机进行刻蚀的原有刻蚀工艺以及该发明实施例1和该发明实施例2中的刻蚀工艺对160000片待刻蚀硅片进行刻蚀，对比结果如下表1所示：

通过对表1中的数据进行对比，能够发现该发明工艺在对160000片硅片进行刻蚀时，可以大大的降低电池板产量的失效率，使得EL检测时，漏电片和隐裂片的数量大大减小，有效的防止了EL污染。