ZnO压敏陶瓷的非线性起源于晶界Schottky势垒，而势垒形成是建立在晶界处缺陷的非均匀分布基础之上的．大电流冲击后ZnO压敏陶瓷缺陷结构的变化及其对电性能的影响规律和机制如何，是目前迫切需要研究的课题。本项目利用宽带介电谱仪、热刺激电流测量等手段，通过冲击实验、介电分析、显微结构研究等方法，系统研究大电流冲击对ZnO压敏陶瓷介电性能和缺陷结构的影响，特别注意晶界结构及晶界层中的电子态、陷阱能级密度与分布状态的改变、冲击老化后缺陷结构变化与显微结构变化的关联。项目结合了ZnO压敏陶瓷在缺陷结构和冲击老化两方面的最新进展。通过本研究，建立起一套用于识别和表征缺陷结构的方法，弄清电子注入对于晶界附近能带结构的影响，阐述大电流冲击老化过程对于ZnO压敏电阻片缺陷结构的作用（包括浓度、分布、价态等）机理及其对于宏观介电特性和显微结构的影响，为提高ZnO压敏电阻的性能提供实验依据和理论支持。
