自旋电子学是当今研究的热点之一，其中需要解决的关键问题之一是提高自旋极化率。半金属是比较理想的候选材料，这类材料对稳定性好﹑数据处理速度快﹑功率损耗低以及集成密度高的器件等领域有着广泛的应用前景。针对这类新型功能材料，将进行以下几方面的研究：. （1）准确计算半金属材料的能隙，在此基础上计算这些材料的光学性质，以及输运系数，得到与实验一致的结果。. （2）通过应变调控的方法，找到加大半金属能隙和提高半金属居里温度的思路；研究表面和界面对半金属材料特性的影响。. （3）通过替代﹑应变﹑加电场或磁场的方法预言新的半金属材料；寻找与半金属材料有关的拓扑性质。
