忆阻器（英语：memristor/ˈmɛmrɨstər/），又名记忆电阻（英语：memory resistors），是一种被动电子元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。最初于1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，预测到在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件，即是忆阻器。 正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、HRL实验室。

之后从2000年始，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性内存-阻抗存储器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO₂的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。但仍然有专家认为，这些实作出的电路，并不是真正的忆阻器。