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可变电阻式存储器可编程金属化单元

2022/07/16116 作者:佚名
导读:可编程金属化单元(英语:programmable metallization cell,缩写为PMC),一种新的非挥发性内存技术,由亚利桑那州立大学开发,这项专利已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。 英飞凌在2004年取得PMC技术的授权,并用来开发导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM,CBRAM),NEC称为Nanobri

可编程金属化单元(英语:programmable metallization cell,缩写为PMC),一种新的非挥发性内存技术,由亚利桑那州立大学开发,这项专利已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。

英飞凌在2004年取得PMC技术的授权,并用来开发导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM,CBRAM),NEC称为Nanobridge,Sony称其为electrolytic memory。但这些公司都没有做出实际应用成果。

最主要推动 CBRAM 装置的公司是Adesto Technologies,最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。

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