接触电效应在一些物理过程中起着重要作用。例如半导体与金属接触时所产生的接触电位差（或称肖脱基电位差）将在半导体表面附近形成一个阻挡层。E0为位于材料外表面电子的位能；Eσ为导带底部的能级；EV为价 带顶部的能级；分别为半导体和金属的费密能级，两种材料的逸出功之差是eV。接触时电子将从半导体流向金属，导致半导体中电子能级下降(相对金属)，但由于N型半导体中自由电子的密度比金属小得多，半导体所能荷带的正电荷密度很有限，从而能级的下降将是逐渐的，正电荷分布在半导体表面的一个有限厚度(10-7～10-8米)的层内。这一层由于自由电子密度降到很小（耗尽层）而具有很高电阻。它对电流成为一个阻挡层。当外电压加在这种半导体－金属结上时，阻挡层的厚度发生变化，若N型半导体是在负电位，则阻挡层厚度将减小，反之阻挡层厚度将增加。这样，电流的大小就同电压的方向有关，从而显示出整流作用。类似地，当N型半导体与P型半导

体接触时，接触电效应亦将在接触面两侧附近形成一个势垒区，这就是通常所谓的半导体的PN结。 2100433B