一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法，其特征在于，该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ZnO压敏电阻陶瓷的制备工艺，该制备方法的原料配方包括：ZnO92.7-97摩尔百分比、Bi₂O₃0.4-0.9摩尔百分比、MnO₂0.4-0.7摩尔百分比、Sb₂O₃0.5-1.5摩尔百分比、Co₂O₃0.5-1.5摩尔百分比、SiO₂0.8-1.7摩尔百分比、Al（NO₃）₃·9H₂O0.1-0.4摩尔百分比和Cr₂O₃0.3-0.7摩尔百分比；该方法包括以下步骤：

1）籽晶的制备与第一步烧结：

（11）采用原料配方中总量的20％-50％的ZnO、0％-20％的Bi₂O₃和全部的Al（NO₃）₃·9H₂O；置于加有去离子水或酒精的球磨罐中，球磨8-12小时，然后烘干作为籽晶原料；

（12）将球磨干燥后的籽晶原料放入高温电炉中，在1200-1350℃下进行第一步预烧3-6小时成籽晶硬块，随炉冷却至常温；

（13）将烧结之后的籽晶硬块粉碎后，置于球磨罐中，加去离子水或酒精球磨4-8小时；然后选取过200-500目筛的籽晶，得到粒径为75微米以下的籽晶；

2）原料混合与第二步烧结

（21）将所有剩余的原料、步骤13）得到的籽晶以及按照每克原料加入0.5毫升的5％（wt）PVA溶液混合，在球磨罐中加去离子水球磨8-12小时，然后烘干、过70-150目的筛，含水造粒，然后采用压力成型的方法，将其压成坯体；

（22）将坯体在密闭的高温电炉中进行第二步烧结，从室温升温至保温温度，保温4-6小时进行排胶，然后再经过18-23小时升温至烧结温度，在烧结温度下保温3-6小时，使陶瓷烧结致密，然后随炉冷却到常温。