《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》所要解决的一个技术问题是提供一种白光LED芯片制造方法，通过该方法制得的白光LED芯片，在产品封装时，不需要采用荧光粉点胶封装工艺，并且发光亮度均匀，出光效率高，生产成本低。
《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》提供一种垂直结构的白光LED芯片的制造方法，包括如下步骤：在生长衬底上外延生长铟镓铝氮半导体发光薄膜，形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片，在所述晶圆片的电极焊盘上形成一层掩膜层，在所述晶圆片上涂覆一层混有荧光粉的硅胶并对其进行热固化，形成一层荧光粉硅胶层，切割所述电极焊盘上的荧光粉硅胶层，使其与晶圆片台面上的其他硅胶分离，刻蚀所述电极焊盘上的掩膜层及荧光粉硅胶层，暴露出电极焊盘，对所述晶圆片划片获得单颗芯片。
优选地，所述掩膜层为光刻胶柱体。
优选地，所述光刻胶柱体的厚度为10~150微米，形成方法包括但不限于下列方法中的一种：光刻法，直接点滴光刻胶法，成型的光刻胶柱体粘结在电极焊盘法，预先成型的掩膜图形通过热压方法实现掩膜方法，金属图形用胶粘剂粘合在晶圆片上的方法。
优选地，所述生长衬底包括但不限于下列衬底中的一种：Cu，Cr，Si，SiC，蓝宝石。
优选地，所述切割的方法包括但不限于下列方法中的一种：激光切割，机械切割。
优选地，所述荧光粉硅胶层的涂覆方法包括但不限于下列方法中的一种：旋涂法，喷涂法，印刷法。
优选地，所述荧光粉硅胶层至少覆盖金属焊盘1微米，在芯片边缘，所述荧光粉硅胶层至少大于铟镓铝氮薄膜台面2微米。
优选地，所述所述刻蚀的方法包括但不限于下列方法中的一种：湿法刻蚀，ICP刻蚀，RIE刻蚀。
优选地，所述划片切割的切割方法包括但不限于下列方法中的一种：激光划片，机械划片。
《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》所要解决的另一个技术问题是提供一种白光LED 芯片，该芯片发光时光斑现象得到大大改善，且出光率高，成本低。
为了解决上述技术问题，《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》提供一种垂直结构的白光LED 芯片，该垂直结构的白光LED 芯片采用上述所述的垂直结构的白光LED 芯片的制造方法制得，包括垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片，位于所述晶圆片上的荧光粉硅胶层，并且所述荧光粉硅胶层覆盖了所述晶圆片的除电极焊盘外的所有表面。
优选地，所述荧光粉至少包括下列中的一种：钇铝石榴石荧光粉、铝酸盐荧光粉、红色氮化物荧光粉、绿色铝酸盐荧光粉。
优选地，所述荧光粉硅胶层的荧光粉与硅胶的质量比介于1:10至5:1之间，荧光粉硅胶层的厚度小于100微米。
《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》提供的垂直结构的白光LED芯片的制造方法的有益效果在于：该发明制造方法工艺简单，而且通过该方法制得的白光LED 芯片，在LED 产品封装时，不需要采用荧光粉点胶封装工艺，并且发出的白光均匀，出光效率高，生产成本低。
《一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法》提供的垂直结构的白光LED芯片的有益效果在于：该发明白光LED芯片的封装工艺简单，不需要荧光粉点胶工艺，同时发出的白光亮度均匀，且出光率高，成本低。
