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低介电常数物质简介

2022/07/16177 作者:佚名
导读:在电子技术不断发展,微电子工业一直以来仍旧基本保持着摩尔定律的正确性。为了提高集成电路的性能和速度,越来越多,越来越小的晶体管被集成到芯片中。随着这种小型化的趋势,芯片中不同层导线之间的距离也随之减小。用作导线之间绝缘层的二氧化硅(SiO2)由于厚度的不断缩小使得自身电容增大。这种电荷的积聚将干扰信号传递,降低电路的可靠性,并且限制了频率的进一步提高。为了解决这个问题,微电子工业将应用低介电常数材

在电子技术不断发展,微电子工业一直以来仍旧基本保持着摩尔定律的正确性。为了提高集成电路的性能和速度,越来越多,越来越小的晶体管被集成到芯片中。随着这种小型化的趋势,芯片中不同层导线之间的距离也随之减小。用作导线之间绝缘层的二氧化硅(SiO2)由于厚度的不断缩小使得自身电容增大。这种电荷的积聚将干扰信号传递,降低电路的可靠性,并且限制了频率的进一步提高。为了解决这个问题,微电子工业将应用低介电常数材料代替传统的二氧化硅绝缘材料。

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