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死区电压晶体管的死区电压

2022/07/16147 作者：佚名
导读：当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。

当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。

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