利用自旋转移矩效应（STT）的磁随机存储器，结合了高读写速度、非易失性、高存储密度、长使用寿命等众多优点，因其可能成为新一代非易失性存储器而受到广泛关注。磁隧道结（MTJ）由于能够很好的与读写技术兼容，成为自旋转移矩磁存储器结构的强有力候选者。一个制约MTJ用于STT-VIRAM的主要问题是，在保证技术可行性的基础上如何降低所需要的翻转电流、提高磁矩翻转速度。对于MTJ，大的翻转电流会增加写入操作所需要的截面积，这会大大制约存储的密度。同时也会增加写入电压、能量损耗，对存储器件的承受度也提出更高的要求。

蒿建龙等 研究了在自由层厚度影响下的界而垂直各向异性和磁矩偏角，对水平CoFeB/MgO磁隧道结阂值翻转电流密度、翻转时间动态特性的作用。基于LLGS方程的宏自旋模型的模拟，结果显示，由于界而垂直各向异性随着自由层厚度的减小而增大，阂值翻转电流密度和翻转时间会明显的降低，当磁矩的偏角随厚度的减小而增大时，翻转的动态特性会有进一步优化，在阈值翻转电流密度和翻转时间上都有体现。