宽禁带半导体材料碳化硅具有临界击穿电场大、饱和漂移速度大、热导率高的特点。因此,碳化硅器件具有传统材料器件无法比拟的优势。但是,由于材料特性及工艺水平的限制,普通结构的碳化硅双极晶体管开启电压偏高,电流增益偏低,且工作频率有限,这不仅限制了器件的开关和放大性能,而且阻碍了器件在射频应用领域的发展前景。针对以上问题,本项目提出对碳化硅金属-半导体双极型晶体管(4H-SiC MSBJT)的研究,利用新的器件结构降低开启电压,抑制界面陷阱效应,改善器件特性,实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化材料生长工艺、实现功率封装等开展,完成芯片设计和仿真评估,并投片验证设计结果。