库仑阻塞效应和自旋积累效应之间的相互影响是纳米尺度下电子电荷和电子自旋动态过程相互关联的物理问题。由此而产生的自旋相关单电子隧穿器件是纳米自旋电子学的一个基本构成单元。本项目拟采用物理沉积和化学自组装方法，通过对绝缘势垒层上纳米颗粒的形貌，尺寸和空间排布的控制，制备出含有非磁性纳米颗粒的单电子隧穿磁性隧道结，通过偏压和门电压调控纳米颗粒的库伦荷电能，来影响其自旋积累效应，实现利用库仑阻塞效应调控纳米颗粒上自旋积累效应。采用考虑自旋积累的单电子隧穿正统理论分析其磁电输运特性，进一步理解纳米尺度下电子电荷和自旋之间的相互影响机理，从物理机制上理清二者的关联，最终揭示库仑阻塞对自旋积累操控的规律和物理机制，为设计以库仑阻塞调控自旋积累为机制的器件提供理论依据。
