AlGaN基深紫外LED具有体积小，能耗低，无污染的特点，在杀菌、医疗、光刻、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值，然而如何提高发光效率仍然是急需解决的关键技术难题。在蓝宝石衬底上生长的AlGaN基深紫外LED，随着Al组分增加及波长变短，量子阱内应变会逐渐增强，所发出的光会逐渐从横电波(TE)向横磁波(TM)偏转，出光效率随之降低。本项目致力于研究用超精密加工的方法优化AlGaN基深紫外LED量子阱内应变，从而调整光偏振特性，最终达到提高LED器件出光效率的目的。本项目从建立量子阱内应变场模型出发，研究通过两种超精密加工的方法改变衬底应变的方式优化量子阱内应变，建立其对偏振特性以及出光效率的模型并研究其改变机制。本项目工作处于国际前沿，具有重要的理论意义和实际应用价值。
