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绝缘栅场效应晶体管P沟道MOS管

2022/07/16192 作者:佚名
导读:如果在制造时,把衬底改为N型,漏极与源极为P型,则可构成P沟道增强型或耗尽型场效应管,其工作原理与N型沟道场效应管相同。使用时UGG、UDD的极性应与N沟道MOS管相反。 MOS管在使用时衬底和源极通常是接在一起的,>如果需要分开,则衬源间的电压uBS必须保证衬源间的PN结是反向偏置,即NMOS管的UBS为负,PMOS管的UBS为正。

如果在制造时,把衬底改为N型,漏极与源极为P型,则可构成P沟道增强型或耗尽型场效应管,其工作原理与N型沟道场效应管相同。使用时UGG、UDD的极性应与N沟道MOS管相反。

MOS管在使用时衬底和源极通常是接在一起的,>如果需要分开,则衬源间的电压uBS必须保证衬源间的PN结是反向偏置,即NMOS管的UBS为负,PMOS管的UBS为正。

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