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自动感应耦合等离子体刻蚀机技术指标

2022/07/16144 作者：佚名
导读：1. 极限真空: 刻蚀室9.0×10-5 Pa (室内湿度≤55%) 进样取样室6.0×10-1 Pa。2. 刻蚀材料: 主要GaN、Sapphire材料，其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蚀速率: 0.01~ 2μ/min（据不同材料与工艺而定）。4. 刻蚀均匀性: ≤±5％(φ150mm范围内)。5. 电极尺寸: φ200mm。

1. 极限真空: 刻蚀室9.0×10-5 Pa (室内湿度≤55%) 进样取样室6.0×10-1 Pa。2. 刻蚀材料: 主要GaN、Sapphire材料，其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蚀速率: 0.01~ 2μ/min（据不同材料与工艺而定）。4. 刻蚀均匀性: ≤±5％(φ150mm范围内)。5. 电极尺寸: φ200mm。

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