随着电-光之间相互转化器件的大规模推广，尤其是基于电致发光的大功率LED和高功率激光器，以及基于光通信原理的Intel光脑技术，都要求光电子封装材料和工艺进行变革。两方面的特殊要求使得AuSn20成为光电子封装关注的焦点。首先，针对大功率光电器件的高导热需要，AuSn20共晶的热导率是57w/m·K，热导率为焊料中最高。其次，可靠性和微区加工的需要，AuSn20 共晶中金含量80wt%,共晶点为280℃，无疑它的可靠性极佳。这些特性使得它在大功率LED，电动汽车和激光器等微电子领域，以及光通信和光电器件的战略领域中得到广泛应用。
