为降低大面积C IS太阳电池的制作成本、，各国学者提出了不同的制作方法，除了吸收层C IS 以外，其他各层通常采用真空蒸发或溅射成膜。过渡层CdS 的制备使用化学成膜法可以保证膜的致密、均匀，易于控制，现今多采用水浴法。吸收层CIS(CIGS) 是多元化合物，原子的晶格配比及结晶状况对其性能起着决定性的作用。制备CIS和CIGS吸收层有许多种方法：真空蒸发、磁控溅射、电沉积法、电子束蒸发、电镀等等。先简单介绍几种制备方法。

1、蒸发法制备法：作为实验室里制备面积很小的CIGS电池样品时，蒸发法制备的电池效率比较高，包括最高转化率的电池的CIGS层均是蒸发法制备的。采用多元共蒸发法成膜工艺，虽然可制备出高水平CIGS的电池，但元素的化学配比很难靠蒸发来精确控制，因而电池的良品率不高，产业化的实现比较困难，另外蒸发法其原料的利用率低，对于贵金属来说浪费大，不利于降低成本。这两种方法在日本、美国、德国无论在实验室和生产线上都有采用。

2、电沉积技术制备法：电沉积技术分为两大类：一步法、分步法。一步法制备CIS 薄膜涉及各元素(Cu、In、Se) 的分别沉积, 其中铜和硒的电极电位远比铟的高。这样在沉积过程中，铟元素较难还原。通常通过调节溶液pH值、电镀液中各元素的浓度, 使三种元素的电极电位尽可能相近，以保证三元素以接近CIS分子式的化学计量比析出。最初电化学沉积CIS薄膜采用恒电流法，后绝大多数是控制恒电位。

3、电镀法制备法：电镀法制备CIGS层，要制备具有理想定比、致密和表面均匀的薄层非常困难。要获得生产要求大面积均匀则更难。

4、硒化法是制备CIS (CIGS)薄膜的主流工艺，它是通过将Cu、In、Ga 合金预制膜硒化来制得C IGS 薄膜，硒化法中，Cu 和In 的厚度按配比严格控制，成膜方法有溅射、蒸发和电沉积等等。硒化法主要有分步蒸发硒化法，后硒化法等。分步硒化法是指将Cu Se和In Se分别共蒸后再硒化。当前，国际上比较流行”三步蒸发硒化法”制备CIGS 薄膜材料。近年来以固态硒作源的硒化(固态源后Se 化工艺) 被广泛采用，其原料为Se H2固气混合体，可以将固态Se 蒸发为饱和蒸汽，通过控制衬底温度和蒸汽压强，来实现硒化工艺，由此降低成本，而且无毒，工艺的重复性也有很大的提高。

5、溅射法不但可以可靠的调节各元素配比，并且制备出来的膜均匀性好，因为溅射粒子的能量比蒸发法要大的多，所以膜与基片的附着力增加，使膜致密结实，同时还可以控制溅射速率和时间的控制，有利于提高重复性。磁控溅射一般溅射CuIn和CuGa沉积CuInGa合金预制层，然后硒化。