热门搜词
建筑大数据
工程监管
大数据+
数据价值
建设领域
云计算
地下综合管廊
BIM技术
一带一路
建设工程
建筑业
建筑施工
建筑工程
海绵城市
装配式建筑
对于半导体异质结或者MIS的界面势垒，在加有较高的电压时，势垒中的电场很强，则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒（见图2），并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关（即与电场E有关）；这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿，相应的电流为
j = -q n vth T(三角形) = C1 E2 exp(C2/E)
其中的常数C1=9.625×10，C2=2.765×10V/cm。
特别，对于MOS系统，电子从Si隧穿二氧化硅的势垒可近似为斜顶梯形的势垒，这种隧穿往往称为直接隧穿。
对于半导体异质结或者MIS的界面势垒，在加有较高的电压时，势垒中的电场很强，则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒（见图2），并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关（即与电场E有关）；这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿，相应的电流为 
