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集成电路芯片制造工艺技术内容简介

2022/07/16204 作者:佚名
导读:《集成电路芯片制造工艺技术》主要有13章,内容包括集成电路芯片制造工艺概述、氧化技术、扩散技术、光刻技术、刻蚀、离子注入、化学气相淀积、金属化、表面钝化、电学隔离技术、集成电路制造工艺流程、缺陷控制、真空与设备等内容。附录一中还介绍了硅材料基础知识和硅材料的制备,附录二给出了Fab厂常用术语的中英文对照。 《集成电路芯片制造工艺技术》力求在技术体系合理完整的基础上,使内容由浅人深,从制造技术的原理

《集成电路芯片制造工艺技术》主要有13章,内容包括集成电路芯片制造工艺概述、氧化技术、扩散技术、光刻技术、刻蚀、离子注入、化学气相淀积、金属化、表面钝化、电学隔离技术、集成电路制造工艺流程、缺陷控制、真空与设备等内容。附录一中还介绍了硅材料基础知识和硅材料的制备,附录二给出了Fab厂常用术语的中英文对照。

《集成电路芯片制造工艺技术》力求在技术体系合理完整的基础上,使内容由浅人深,从制造技术的原理出发,紧密地联系生产实际,方便读者理解这些原本复杂的工艺和流程。《集成电路芯片制造工艺技术》可作为高职高专院校微电子技术及相关专业的教学用书,也可作为工程技术人员的参考用书。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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