造成开关损耗的主要原因在于：一是，硬开关。现今，大多数非隔离降压稳压器拓扑的开关损耗都很大。原因是在导通和关断期间，MOSFET同时承受高电流和高电压应力。当开关频率与输入电压增高时，这些损耗同时增大，限制了其可以达到的最高工作频率、效率和功率密度。二是，栅极驱动损耗。由于栅极驱动电路内的米勒电荷的功耗较高，导至硬开关拓扑结构的栅极驱动损耗也较高。三是，本体二极管传导。当高电平端MOSFET导通和关闭时，高脉动电流通过低电平端MOSFET的本体二极管。本体二极管导通的时间越长，反向恢复损耗和本体二极管传导损耗便愈高。本体二极管传导也会造成破坏性的过冲和振铃。开关损耗还限制了稳压器的开关频率，开关频率越高，MOSFET开关时间就越长，损耗就越大。如果开关不能在高频率切换，将限制更小型无源组件(电阻、电容和电感)的使用，从而使稳压器密度受到影响。众多电子设计师希望在负载点使用零电压开关(ZVS) 。

针对上述问题，Picor引入了一个高性能、高度集成、软开关降压稳压器平台，可高频工作，大幅度地降低开关损耗，提高效率。