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IGBT高频炉

2022/07/1670 作者：佚名
导读：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片，产自于德国。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 而IGBT高频炉，便是基于这个芯片做出的加
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片，产自于德国。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
而IGBT高频炉，便是基于这个芯片做出的加热设备。具有省电节流的特点。
*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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