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PVD离子镀膜机技术指标

2022/07/16245 作者：佚名
导读：最高沉积温度：500℃； 电弧靶4个，离子源1个， 磁控靶2个，HIPPMIS 1个。

最高沉积温度：500℃； 电弧靶4个，离子源1个， 磁控靶2个，HIPPMIS 1个。

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