由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：

虚拟测量（Virtual Metrology）

光谱测量（Optical emission spectroscopy）

等离子阻抗监控（Plasma impedance monitoring）

终端探测（end-point detection）

远程耦合传感（remote-coupled sensing）

等离子刻蚀机控制方法

run-to-run 控制（R2R）

模型预测控制（MPC）

人工神经网络控制

等离子刻蚀机操作及判断

1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。