实施例1
1、缓冲层的生长MOCVD反应室温度升至600℃，压力为100托，同时通入三甲基铝（150毫升/分钟）和NH3，生长10分钟，在蓝宝石衬底（Al2O3）上发生反应，生成厚度为50纳米的GaN缓冲层；2、非掺杂层的生长经过10分钟，将温度升高到1200℃，压力降至50托，通入氢气、三甲基镓（65毫升/分钟）、三甲基铝（300毫升/分钟）和NH3，生长120分钟，铝镓氮晶核在金颗粒底部形成并长大，AlGaN横向生长，生成厚度为2微米非掺杂的AlGaN层，Al含量为75％；3、N型掺杂层的生长反应室温度升高至1250℃，压力保持50毫托，通入氢气、三甲基镓（80毫升/分钟）、三甲基铝（300毫升/分钟）和氨气，生长90分钟，生成厚度为1500纳米的N型AlGaN层，Al含量为75％，N型GaN的掺杂浓度为1×1019个厘米-3；4、多量子阱结构的生长a.将反应室温度降至1000℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（20毫升/分钟），三甲基铝（60毫升/分钟）和氨气，掺入Si杂质，生长2分钟，生成厚度为12纳米的掺杂AlGaN量子垒，掺杂浓度为1×1018个厘米-3，Al含量为60％；b.1000℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（10毫升/分钟），三甲基铝（40毫升/分钟）和氨气，此层不掺Si，生长0.75分钟，生成厚度为3纳米的AlGaN量子阱层，Al含量为50％；c.将反应室温度降至900℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（10毫升/分钟）和氨气，生长5秒，生长厚度为5个原子层级的GaN量子点；d.重复进行a-c共13个循环，形成13个周期的量子阱结构，即Q＝13，M＝1；5、电子阻挡层的生长将反应室温度提高到1100℃，压力为50托，通入氢气、三甲基镓（17毫升/分钟），三甲基铝（60毫升/分钟）和氨气，生长时间为15分钟，生成厚度为30纳米的AlGaN电子阻挡层，Al含量为70％；6、P型掺杂AlvGa1-vN层将温度降为950℃，压力调为200托，通入氢气、三甲基镓（40毫升/分钟），二茂镁（150毫升/分钟），氨气，生长25分钟，其中，Mg的掺杂浓度为5.5×1019个厘米-3，此层的厚度为150纳米；7、P型掺杂层的生长维持温度950℃，压力调为200托，通入氢气、三甲基镓（40毫升/分钟），二茂镁（450毫升/分钟），氨气，生长时间为1分钟，Mg的掺杂浓度为2×1020个厘米-3，生成厚度为5纳米的重掺P型GaN层。至此，完成该事实例的波长为255纳米的具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构的生长。图2为《具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法》实施例1中的紫外AlGaNLED外延结构。对该事实例的外延结构进行如下测试：1、将具有此外延结构的LED，制作成350微米×350微米芯片，通入20毫安的电流，工作电压为6.0伏，发光亮度为4兆瓦；2、具有此外延结构的紫外LED器件寿命为1万小时。
实施例2
1、缓冲层的生长MOCVD反应室温度升至600℃，压力为100托，同时通入三甲基铝（150毫升/分钟）和NH3，生长10分钟，在蓝宝石衬底（Al2O3）上发生反应，生成厚度为50纳米的GaN缓冲层；2、非掺杂层的生长经过10分钟，将温度升高到1200℃，压力降至50托，通入氢气、三甲基镓（45毫升/分钟）、三甲基铝（300毫升/分钟）和NH3，生长120分钟，铝镓氮晶核在金颗粒底部形成并长大，AlGaN横向生长，生成厚度为2微米非掺杂的AlGaN层，Al含量为50％；3、N型掺杂层的生长反应室温度升高至1250℃，压力保持50毫托，通入氢气、三甲基镓（50毫升/分钟）、三甲基铝（300毫升/分钟）和氨气，生长90分钟，生成厚度为1500纳米的N型AlGaN层，Al含量为50％，N型GaN的掺杂浓度为1×1019个厘米-3；4、多量子阱结构的生长A.将反应室温度降至1000℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（12毫升/分钟），三甲基铝（60毫升/分钟）和氨气，掺入Si杂质，生长2分钟，生成厚度为12纳米的掺杂AlGaN量子垒，掺杂浓度为1×1018个厘米-3，Al含量为35％；B.1000℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（4毫升/分钟），三甲基铝（40毫升/分钟）和氨气，此层不掺Si，生长0.25分钟，生成厚度为1纳米的AlGaN量子阱层，Al含量为22％；C.将反应室温度降至900℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（10毫升/分钟）和氨气，生长1秒，生长厚度为1个原子层级的GaN量子点；D.重复进行B-C共3个循环，形成AlxGa1-xN-GaN量子点/AlxGa1-xN-GaN量子点/AlxGa1-xN-GaN量子点的量子阱结构,即M＝3；E.重复进行A-D共8个循环，形成8个周期的量子阱结构，即Q＝8；5、电子阻挡层的生长将反应室温度提高到1100℃，压力为50毫托，通入氢气、三甲基镓（12毫升/分钟），三甲基铝（60毫升/分钟）和氨气，生长时间为15分钟，生成厚度为30纳米的AlGaN电子阻挡层，Al含量为50％；6、P型掺杂AlvGa1-vN层的生长将温度降为950℃，压力调为200托，通入氢气、三甲基镓（40毫升/分钟），二茂镁（150毫升/分钟），氨气，生长15分钟，其中，Mg的掺杂浓度为5.5×1019个厘米-3，此层的厚度为90纳米；7、P型掺杂层的生长维持温度950℃，压力调为200托，通入氢气、三甲基镓（40毫升/分钟），二茂镁（450毫升/分钟），氨气，生长时间为1分钟，Mg的掺杂浓度为2×1020个厘米-3，生成厚度为5纳米的重掺P型GaN层。至此，完成该事实例的波长为310纳米的具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构的生长，图3为《具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法》实施例2中的紫外AlGaNLED外延结构。对该事实例的外延结构进行如下测试：1、将具有此外延结构的LED，制作成350微米×350微米芯片，通入20毫安的电流，工作电压为6.0伏，发光亮度为4兆瓦；2、具有此外延结构的紫外LED器件寿命为1万小时。
