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半导体材料研究进展作者简介

2022/07/16192 作者:佚名
导读:王占国,半导体材料及材料物理学家。1938年12月29日生于河南镇平县。1962年毕业于南开大学物理系,同年到中国科学院半导体研究所工作至今。现任中国科学院半导体研究所研究员,中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任,中国材料研究学会荣誉理事,国家“973计划”材料领域咨询专家组组长,以及多个国际会议顾问委员会委员等。主要从事半导体材料和材料物理以及半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方

王占国,半导体材料及材料物理学家。1938年12月29日生于河南镇平县。1962年毕业于南开大学物理系,同年到中国科学院半导体研究所工作至今。现任中国科学院半导体研究所研究员,中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任,中国材料研究学会荣誉理事,国家“973计划”材料领域咨询专家组组长,以及多个国际会议顾问委员会委员等。主要从事半导体材料和材料物理以及半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面研究,先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科技进步奖等多项,与合作者一起发表SC 。

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