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干化刻蚀机技术指标

2022/07/16150 作者:佚名
导读:300W,13.56MHz射频源;3kW,13.56MHz ICP源。系统可以刻蚀SiO2、SiNX、Al2O3、Nb、GaAs、InP、GaAlAs及InAs等薄膜材料。直径下电极,腔室大小满足4英寸及以下尺寸样品。工艺腔室真空度优于3x10-6 Torr。工艺腔室设有观察窗,具有腔壁自动加热功能,腔壁温度可维持在80℃左右;下电极配置冷水机,控温精度达到±0.5℃。系统配置有12路工艺气体的外

300W,13.56MHz射频源;3kW,13.56MHz ICP源。系统可以刻蚀SiO2、SiNX、Al2O3、Nb、GaAs、InP、GaAlAs及InAs等薄膜材料。直径下电极,腔室大小满足4英寸及以下尺寸样品。工艺腔室真空度优于3x10-6 Torr。工艺腔室设有观察窗,具有腔壁自动加热功能,腔壁温度可维持在80℃左右;下电极配置冷水机,控温精度达到±0.5℃。系统配置有12路工艺气体的外置气体盒,满足目前工艺应用需求。

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