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主要工艺参数指标:2英寸GaAs,InP, Al2O3刻蚀均一性小于±3%,批次间重复性好于±3%;GaAs刻蚀速率大于1000nm/min, InP刻蚀速率大于1000nm/min, Al2O3刻蚀速率大于50nm/min。系统配置终点监测系统670nm激光干涉仪,可用于实时测量刻蚀深度。