薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT由于性能优于非晶硅，其制作工艺又与非晶硅基本相同，比多晶硅便宜，因此是当前最具竞争力的AM-OLED 的控制元件。我们将开展以下研究（1）微晶硅薄膜的新的制备和晶化研究。它具双层结构，先生长一层很薄微晶硅子晶层然后是非晶硅层；再用液相加热晶化的方法进行晶化的以期得到高质量，适合于量产的工艺。（2）欧姆接触层的研究：以插入超薄的绝缘层来代替传统n a-Si:H来实现欧姆接触；并探索其他制欧姆接触层的可能性。（3）绝缘层的研究：研究Si3N4和SiO2 绝缘层制备条件与深能级的浓度和深度，表面粗糙度的关系。（4）界面层的研究。（5）新型TFT器件结构的研究，如顶栅结构的微晶硅TFT器件的研制等。（6）微晶硅TFT与OLED的集成的研究。寻找最佳的参数及最合适的器件结构如底栅或顶栅TFT，微腔顶发射或微腔底发射OLED等。
