第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备

绪论：1、 微电子工艺是讲什么的？

2、 微电子工艺的发展历程如何？

3、 微电子工艺有什么特点？

4、半导体单晶硅有什么特性？

第1章 硅片的制备

1.1多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法

1.2单晶生长-机理

1.2单晶生长-掺杂

1.2单晶生长-MCZ与FZ法

1.3硅片制备

第一讲 作业

第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容

2.1 外延概述

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 其它外延方法

2.5 外延层缺陷及检测

第二讲 作业

第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容

3.1 二氧化硅薄膜概述

3.2 硅的热氧化

3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备

3.4 热氧化过程中的杂质再分布

3.5 氧化层的质量及检测

3.6 其它氧化方法

第三讲 作业

第四讲 介绍第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。

4.1 扩散机构

4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程

4.3 杂质的扩散掺杂

4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素

4.5 扩散工艺条件与方法

4.6 扩散工艺质量与检测

4.7 扩散工艺的发展

第四讲 作业

第五讲 介绍第5章 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容

5.1 概述

5.2 离子注入原理

5.3 注入离子在靶中的分布

5.4 注入损伤

5.5 退火

5.6 离子注入设备与工艺

5.7 离子注入的其它应用

5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术

第五讲 作业

期中测验

第六讲，介绍第6章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。

6.1 CVD概述

6.2 CVD工艺原理

6.3 CVD工艺方法

6.4 二氧化硅薄膜的淀积

6.5 氮化硅薄膜淀积

6.6 多晶硅薄膜的淀积

6.7 CVD金属及金属化合物薄膜

第六讲 作业

第七讲 介绍第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容

7.1 PVD概述

7.2 真空系统及真空的获得

7.3 真空蒸镀

7.4 溅射

7.5 PVD金属及化合物薄膜

第七讲 作业

第八讲 介绍第8章 光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。

8.2 基本光刻工艺流程

8.3 光刻掩膜板制造技术

8.4 光刻胶

8.5 紫外曝光技术

8.6 光刻增强技术

8.7 其它曝光技术

8.8 光刻新技术展望

8.1 光刻概述

第八讲 作业

第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括：刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。

9.1 刻蚀技术--概述

9.2 刻蚀技术 -- 湿法刻蚀技术

9.3 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术

9.4 SiO2薄膜的干法刻蚀技术

9.5 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术

第九讲 作业

第十讲 介绍典型工艺集成，包括金属化、隔离技术，以及CMOS电路、双极型电路工艺。

10.1--1 工艺集成--金属化与多层互连

10.1--2 工艺集成--金属化与多层互连--尖楔现象

10.2 工艺集成--集成电路中的隔离技术

10.3 CMOS集成电路的工艺集成

10.4 双极型集成电路的工艺集成

结语 我的中国芯

第十周作业