第1章 概论
1.1 微电子技术和集成电路的发展历程
1.1.1 电子技术与半导体集成电路
1.1.2 发展历程
1.1.3 发展特点和技术经济规律
1.2 集成电路的分类
1.2.1 按电路功能分类
1.2.2 按电路结构分类
1.2.3 按有源器件结构和工艺分类
1.2.4 按电路的规模分类
1.3 集成电路制造特点和本书学习要点
1.3.1 电路系统设计
1.3.2 版图设计和优化
1.3.3 集成电路的加工制造
1.3.4 集成电路的封装
1.3.5 集成电路的测试和分析
第2章 集成器件物理基础
2.1 半导体及其能带模型
2.1.1 半导体及其共价键结构
2.1.2 半导体的能带模型
2.1.3 费米分布函数
2.2 半导体的导电性
2.2.1 本征半导体
2.2.2 非本征载流子
2.2.3 半导体中的漂移电流
2.2.4 半导体中的扩散电流
2.2.5 半导体中的电流
2.2.6 半导体基本方程
2.3 PN结和晶体二极管
2.3.1 平衡状态下的PN结
2.3.2 PN结的单向导电性
2.3.3 理想PN结模型及其伏－安特性
2.3.4 PN结电容
2.3.5 PN结击穿
2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用
2.3.7 PN结应用
2.3.8 其他半导体二极管
2.4 双极型晶体管
2.4.1 双极晶体管的直流放大原理
2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素
2.4.3 晶体管的击穿电压
2.4.4 晶体管的频率特性
2.4.5 晶体管模型和模型参数
2.4.6 异质结双极晶体管（HBT）
2.5 JFIZT与MESFET器件基础
2.5.1 器件结构与电流控制原理
2.5.2 JFET直流轮出特性的定性分析
2.5.3 JFET的直流转移特性
2.5.4 JFET的器件类型和电路符号
2.5.5 JFET直流特性定量表达式
2.5.6 JFET等效电路和模型参数
2.6 MOS场效应晶体管
2.6.1 MOS晶体管结构
2.6.2 MOS晶体管工作原理
2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果
2.6.4 MOS晶体管的阈值电压
2.6.5 MOS晶体管特点
2.6.6 MOS晶体管模型和模型参数
2.6.7 硅栅MOS结构和自对准技术
2.6.8 高电子迁移率晶体管（HEMT）
习题
第3章 集成电路制造工艺
3.1 硅平面工艺基本流程
……
第4章 集成电路设计
第5章 微电子系统设计
第6章 集成电路计算机辅助设计
第7章 IC设计举例与设计实践
