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晶体位错基本概念

2022/07/16138 作者:佚名
导读:典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。此外,还有所谓位错环,这是在晶体内部的一个环形线,往往是由许多空位的集合——空洞塌陷而成。在Si、Ge中最简单的位错是60o棱位错。因为Si、Ge晶体的最容易的滑移面是(111)面,最容易的滑移方向是<110>方向,故Si、Ge晶体中的位错是在(111)面内、位错线的方向是<110>

典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直,而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。此外,还有所谓位错环,这是在晶体内部的一个环形线,往往是由许多空位的集合——空洞塌陷而成。在Si、Ge中最简单的位错是60o棱位错。因为Si、Ge晶体的最容易的滑移面是(111)面,最容易的滑移方向是<110>方向,故Si、Ge晶体中的位错是在(111)面内、位错线的方向是<110>方向,该位错线与相邻的滑移方向互相构成60夹角(即是两个相邻的<110>方向),故有60o棱位错之称。

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