从宏观角度看,晶体生长过程是晶体- 环境相(蒸气、溶液、熔体) 界面向环境相中不断推移的过程,也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变。

从微观角度来看,晶体生长过程可以看作一个“基元”过程,所谓“基元”是指结晶过程中最基本的结构单元,从广义上说“, 基元”可以是原子、分子,也可以是具有一定几何构型的原子(分子) 聚集体。所谓的“基元”过程包括以下主要步骤:

(1)基元的形成:在一定的生长条件下,环境相中物质相互作用,动态地形成不同结构形式的基元,这些基元不停地运动并相互转化,随时产生或消失。

(2)基元在生长界面的吸附:由于对流、热力学无规则的运动或原子间的吸引力,基元运动到界面上并被吸附。

(3)基元在界面的运动:基元由于热力学的驱动,在界面上迁移运动。

(4)基元在界面上结晶或脱附:在界面上依附的基元,经过一定的运动,可能在界面某一适当的位置结晶并长入固相,或者脱附而重新回到环境相中。

晶体内部结构、环境相状态及生长条件都将直接影响晶体生长的“基元”过程。环境相及生长条件的影响集中体现于基元的形成过程之中;而不同结构的生长基元在不同晶面族上的吸附、运动、结晶或脱附过程主要与晶体内部结构相关联。不同结构的晶体具有不同的生长形态。对于同一晶体,不同的生长条件可能产生不同结构的生长基元,最终形成不同形态的晶体。同种晶体可能有多种结构的物相,即同质异相体。这也是由于生长条件不同、“基元”过程不同而导致的结果。