电子陶瓷烧结技术通过对微波烧结缓变型Y~(3 )掺杂(Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3型PTC陶瓷研究，发现微波烧结可获得与常规烧结相似的PTC材料性能参数，但微波烧结使该材料的烧结温度由常规烧结的1350℃降低到微波烧结的1150℃，全程烧结时间由常规烧结的28小时降低到微波烧结的4小时，在能源节约方面具有优势。

微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，当获得样品的晶粒尺寸相同时所需微波烧结温度更低，烧结时间更短；微波烧结样品的压敏电性能参数明显优于常规烧结的样品，采用微波合成①a，Sr）TIOs（BST）粉体可以将合成温度从常规的1100℃降 至微波合成方法的900℃，合成粉体的尺寸从常规方法的320 μm降至微波合成粉体的50 μm。微波烧结 Ba*a们 材料在 1310℃/25min条件下获得了晶粒约 lpffi的细晶BST陶瓷。 利用微波加热的选择性可以抑制含铅氧化物电子陶瓷中铅的挥发，从而有利于控制铅含量及材料的微结构。如对PZT铁电薄膜进行微波退火处理，不仅退火温度被显著降低，同时还阻止了氧化铅挥发造成的薄膜表面的微裂纹，从而使PZT簿膜样品上电极的完好率有大幅提高。通过对烧结机理的分析，推论出微波烧结过程中材料的晶界及界面处的温度比晶粒内部要高。

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