霍尔效应电输运测量系统可用来理解和表征材料物理性，具有不可估量的价值，这些材料通常包括:半导体材料（比如说Si,Ge,GaAs,AlGaAs,CdTe,andHgCdTe）、电磁材料（磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、超导体材料）。材料霍尔效应电输性质测量和磁电阻效应的测量适用于材料的研究、产品开发和质量控制。

现代材料从复合半导体材料到纳米材料，已经将输运特性的测量推到了极限，这些材料为今天的材料研究人员创造了独特的挑战。LakeShore公司的霍尔效应系统为小电流和小电压的控制提供了解决方案，其测量范围：0.04mohmto200Gohm，加上AC电流选件，阻值范围可扩展到10µohmto200Gohm。系统操作简单、测量精确，系统在进行样品测量时，可以实现对磁场和温度的自动控制。基本系统最多同时可对两个样品在室温或液氮温度下进行测量，加上四样品测量模块，在不改动其它硬件的条件下，就可以实现四个样品的连续测量。在变磁场下得到的测量数据经过QMSA软件（选件）分析得到的数据结果给科研人员提供了非常有价值的信息。

霍尔效应测量系统可获得的数据结果包括：电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度、电流-电压特性曲线。测量数据时实反馈，以图形和表格的形式显示在软件中。用VanderPauw、Hallbar、四引线磁阻法测量的数据还可以日后进行进一步的处理、分析和显示。

系统特点·同一系统可测定霍尔电压，霍尔电阻，磁致电阻及伏安特性；计算电阻率、霍尔系数、载流子浓度和迁移率。·电阻范围：0.04mΩ~200GΩ，测量误差<5%；加AC电流选件，阻值范围可扩展到10µohmto200Gohm。·最低样品测试温度可以达到15K；最高可达到800K。·在一个实验程序下可完成多个试验步骤。·系统可自动计算电阻率、惑尔系数、载流子浓度和迁移率·软件中样品定义、测量设定、测量结果是单独保存的，这样对以后的使用提供了很大的方便·测量过程采用计算机自动控制和数据采集，操作简单省时。·数据进行时实采集和处理，可以以曲线或图表两种形式显示·系统磁性稳定性好，采用水冷电磁铁，闭环反馈·测量软件工作在Windows®XP®操作系统下·标准的Windows®Explorer®界面可进行操作设定、样品和测量设定

可测试材料多数复合半导体材料，包括SiGe,SiC,INAS,InGaAs,INP,AlGaAs,andHgCdTe,砖石铁,氧体材料;低阻材料，包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料高阻材料，包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器

应用霍尔效应系统功能强大，可以专门用来进行霍尔效应测量研究。利用变化的磁场和QMSA软件，研究人员可进行2DEG的pHEM和器件表层迁移率的测量。另外，还可以用来进行一些生长系统（例如CVD、MBE）生长的半导体器件纯度的鉴定进行霍尔效应研究用的常用参数都可以在7707A上测量获得：载流子浓度、本征载流子浓度、迁移率和温度的关系、激活能量等

主要型号7600低阻电磁铁系列7604型霍尔效应系统7607型霍尔效应系统7612型霍尔效应系统

7700高阻电磁铁系列7704A型霍尔效应系统7707A型霍尔效应系统7612A型霍尔效应系统

9700高阻超导磁体系列9709A型霍尔效应系统