第一章绪论

1.1模拟电路与芯片级集成系统

1.1.1 CMOS模拟电路缘起

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

1.1.2 模拟电路在芯片级集成系统中的作用

1.1.3模拟集成电路与生物学

1.1.4芯片学的未来

1.2模拟集成电路设计旨要

1.2.1模拟电路设计的科学性与工匠性

1.2.2 电学设计

1.2.3物理设计

1.3有关问题说明

1.3.1 热点问题与本书着重点

1.3.2 内容安排

1.3.3字符、符号使用说明

第二章CMOS集成电路基本器件

2.1 CMOS集成电路物理结构及制作过程

2.1.1 物理结构和基本制作过程

2.1.2　制造工艺分类

2.2　PN结二极管

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

2.2.1基本电流电压特性

2.2.2 击穿特性

2.2.3 PN结二极管电容

2.2.4 PN结二极管噪声

2.2.5 PN结二极管温度特性

2.3 MOS晶体管电流一电压特性

2.3.1 MOS晶体管基本结构和工作原理

2.3.2 MOS晶体管特性的数学描述

2.3.3 沟道强反型模型

2.3.4 沟道弱反型模型

2.3.5 深亚微米MOS管特性

……

第三章　基本单元电路

第四章　运算放大器

第五章　连续时间滤波器

第六章　天关电容电路

第七章　过采样数据转换器

本书主要参考书目