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电制冷能谱仪技术指标

2022/07/16147 作者：佚名
导读：2.2.3 *圆形对称芯片，最大程度地减少低能端的能量损失 2.2.4 *FET场效应管同阳极独立封装，避免X射线的轰击 谱峰稳定性：1,000cps到100,000cps，Mn Ka峰谱峰漂移小于1eV，分辨率变化小于1eV, 48小时内峰位漂移小于1.5eV。

2.2.3 *圆形对称芯片，最大程度地减少低能端的能量损失 2.2.4 *FET场效应管同阳极独立封装，避免X射线的轰击 谱峰稳定性：1,000cps到100,000cps，Mn Ka峰谱峰漂移小于1eV，分辨率变化小于1eV, 48小时内峰位漂移小于1.5eV。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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