一般说来，对于磁记录介质的主要要求是：适当高的矫顽力Hc，以提高存储信息的密度和抗干扰性；高的饱和磁化强度4πMs,以提高输出信息强度;高的剩磁比Mr/Ms(Mr为剩余磁化强度),以提高信息记录效率和减小自退磁效应;陡直的磁滞回线,以提高记存信息分辨率；低的磁性温度系数和老化效应，以提高稳定性；对于垂直磁记录材料，还需要高的垂直膜面的单轴磁各向异性ku（见磁各向异性）。可采用的磁记录介质可以分为三类：铁氧体和其他强磁氧化物微粉；强磁金属微粉；强磁金属薄膜。大量应用的是γ-Fe2O3或以其为基的磁粉,正在研制或开始试用的还有CrO2磁粉、及以Ni和Co为基的合金薄膜介质。
对于磁头材料的主要要求是:高的磁导率μ,以提高磁头的灵敏度和效率；高的饱和磁化强度4πMs,以提高磁头缝隙的磁场和防止极尖磁饱和；低的矫顽力Hc，以降低磁头的损耗；低的剩余磁化强度Mr,以易于清除不需要的磁迹；高的电阻率ρ,以降低磁头损耗,改善特性;高的磁导率截止频率fc（即磁导率显著下降的频率），以提高磁记录频率上限，有利于高频高速磁记录；高的硬度和力学强度，以提高耐磨性能和使用寿命。采用的磁头材料有两大类：铁氧体磁头材料和金属磁头材料。前者应用最多的是Mn-Zn系铁氧体,有热压和热静压的高密度多晶材料和布里奇曼法生长的高均匀性的单晶材料；后者应用较多的有Fe-Si-Al系和Fe-Ni-Nb系等高硬度软磁合金材料。
