用于制备微米、亚微米和纳米磁性隧道结、磁性隧道结阵列、TMR磁读出头和MRAM方法有光刻和电子束曝光以及离子束刻蚀、化学反应刻蚀、聚焦离子束刻蚀等，其中光刻技术结合离子束刻蚀是微加工工艺中具有较低成本、可大规模生产的首选工艺。因此研究光刻技术结合离子束刻蚀方法制备磁性隧道结，通过优化实验条件，制备出高质量的微米和亚微米磁性隧道结具有很大的实际应用意义。另外，在优化制备磁性隧道结的工艺条件时，金属掩模法仍具有低成本、省时省力、见效快的优点。一般情况下，利用狭缝宽度为60-100μm的金属掩模法从制备磁性隧道结样品到完成TMR测试，只须3-6h因此金属掩模法制备磁性隧道结，既可用于快速优化实验和工艺条件，也可以作为采用复杂工艺和技术制备微米、亚微米或纳米磁性隧道结之前的预研制方法。

利用金属掩模法制备磁性隧道结，既可用于快速优化实验和工艺条件，又可以作为采用复杂工艺和技术制备微米、亚微米或纳米磁性隧道结之前的预研制方法。而采用光刻技术中的刻槽和打孔方法及去胶掀离方法制备的磁性隧道结，经过适当的退火处理后可以获得较高的TMR、较低的RS值以及较小的反转场和较高的偏置场。这样的隧道结，可以用于制备MRAM的存储单元或其他磁敏传感器的探测单元。