一个呈电中性的原子，其正电质子和负电电子的数量是相等的。当少了一个负电的电子，那里就会呈现出一个正电性的空位——空穴；反之，当有一个电子进来掉进了空穴，就会发出电磁波——光子。
空穴不是正电子，电子与正电子相遇湮灭时，所发出来的光子是非常高能的(即所谓的猝灭现象)。那是两粒子的质量所完全转化出来的电磁波能（通常会转出一对光子）。而电子掉入空穴所发出来的光子，其能量通常只有几个电子伏特。
半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。
在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质（如硼、镓、铟、铝等），则可产生大量空穴，获得P型半导体，又称空穴型半导体。空穴是P型半导体中的载流子，为多子。
在半导体里，出现了空穴这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B e-=B-和Si形成稳定共价键，即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子)
使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个空穴
空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道。
一般的解释是，由于在四价的硅或锗晶体中掺进了三价的铟或镓原子，这些原子和硅或锗的原子的化合键中就缺少了一个电子．这个缺位叫空穴．这样的材料叫P型半导体．在外电场中，P型半导体中的电子会逆电场方向依次填补空穴，同时空穴也就沿电场方向移动．空穴就可以被认为是带正电的粒子，以它的运动取代电子的运行来解释P型半导体中电流的形成．用空穴概念甚至可以解释P型半导体的霍尔效应．一块通有电流的P型半导体置于磁场中．其中的空穴沿电流方向运动受磁场力方向向上，因而会在上缘集聚，使上缘带正电，同时下缘就带了负电．上缘电势就高于下缘电势．这一解释完全符合实验结果，说明概念是正确的。
