相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。

应用三电极时，对于平板试样，由于平板电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为

对于管状试样，由于圆柱形电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为

式中Cx为试样电容(法)，L为电极长度(米)，D1为电极直径(米)，g为电极间的间隙(米)，d为试样厚度(米)，r1、r2为试样的内外半径。应用二电极时式中Cx为试样电容，Cm为测量电容,C0为试样的几何电容，Ce为试样的边缘电容，Cg为试样的对地电容。

介质损耗角正切(tanδ)的测定 通过测量试样的等效参数经计算求得。也可在仪器上直读。在工频、音频下一般都用电桥法测量,高电压时采用西林电桥法（图2）。电桥平衡时式中CN为标准电容，C4为可调电容，R4为固定电阻,R3为可调电阻。

当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进行测量（图3）。使频率和电感保持恒定，在接入试样和不接试样时调节调谐电容使电路谐振。若接试样时C=Cs，不接试样时C=Cns，则试样电容的测量结果是

Cx=Cns-Cs

这时可用变Q值法和变电纳法计算试样的tanδx。在变Q值法中是根据接入试样且回路谐振时的Q值(Qi)与不接试样且回路谐振时的Q值(Q0)的变化来计算损耗角正切，即式中Cr是回路的总电容，除谐振电容外，包括试样的零电容、接线电容等。变电纳法是根据接试样时谐振曲线的半功率点的宽度△C1(图4)和不接试样时相应的宽度△C0的变化来计算损耗角正切，即　在这些测试中，选择电极极为重要。常用的是接触式电极。可用粘贴铝箔、烧银、真空镀铝等方法制作电极，但后者不能在高频下使用。低频测量时，试样与电极应屏蔽。在高频下可用测微电极以减小引线影响。在某些特殊场合，可用不接触电极，例如薄膜介电性能测试和频率高于30兆赫时介电性能的测量。2100433B