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耐正负高压的SCRESD防护器件及其工艺方法基本信息

2022/07/1696 作者:佚名
导读:申请日 2021.01.27 申请人 深圳市国微电子有限公司 地址 518000广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大厦六层A 发明人 杜明; 裴国旭; 李会羽; 陈锡均 Int. Cl. H01L27/02(2006.01)I 专利代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司44414 代理人 任敏

申请日

2021.01.27

申请人

深圳市国微电子有限公司

地址

518000广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大厦六层A

发明人

杜明; 裴国旭; 李会羽; 陈锡均

Int. Cl.

H01L27/02(2006.01)I

专利代理机构

深圳中一联合知识产权代理有限公司44414

代理人

任敏

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