本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的SCR ESD防护器件及其工艺方法，该防护器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第一、第二漂移区，分别在第一、第二漂移区和外延层的交界处形成的第一，第二注入区；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，分别在第一、第二漂移区中形成的第二，第三阱；分别在第一、第二、第三阱中形成的第一类型有源区，分别在第一、第二漂移区中形成的两个第二类型有源区。本发明提供的器件能够保证端口正常工作在正负高压下，具有高维持电压，并且能满足ESD防护等级的设计要求。 2100433B
