柔性聚合物阻变存储器是一种极具潜力的新型柔性非易失存储器，然而目前其仍面临着存储功耗高的问题，限制了其在超低功耗和微型化的柔性电子系统中的应用。为了解决器件存储功耗高的问题，本项目利用CAFM技术更直观、更深入地证实了parylene-C RRAM的金属导电细丝阻变机理，为后续器件的设计提供了理论指导。针对柔性电子系统对器件微型化、集成化的需求，本项目研制了基于parylene-C的柔性多功能温度传感-存储器件和基于parylene-C的柔性多功能光输入-存储模块。针对parylene-C RRAM器件存储功耗高的问题，本项目研制了两种超低功耗parylene-C RRAM器件的新结构，即双层parylene-C结构和石墨烯插入层结构，大大地降低了器件的存储功耗。其中，基于双层parylene-C的超低功耗柔性RRAM器件的存储功耗低至约10fJ/bit，远小于美国国防部先进技术委员会（DARPA）对未来新型存储器的功耗要求1pJ/bit,为超低功耗柔性RRAM器件的应用奠定了基础。相关成果申请5项专利，在包括AEM，IEEE-EDL，IEDM以及Nanoscale等著名期刊和国际会议上发表学术论文26篇学术论文和一本专著章节。 2100433B